Sekundär-Ionen-Massen-Spektronomie

Bezeichnung: Sekundär-Ionen-Massen-Spektrometer (SIMS)
Typ: Cameca IMS-3f
Physikalisches Prinzip: Die Probenoberfläche wird mit Primärionen bestrahlt, so dass eine Ablösung der Oberflächenatome mit einer vertikalen Ortsauflösung im Nanometerbereich erfolgt. Die laterale Auflösung liegt bei etwa 50 Mikrometer. Ein Bruchteil dieser abgelösten Atome ist ebenfalls ionisiert (Sekundärionen) und kann deshalb elektromagnetisch nach der Masse getrennt und registriert werden.
Anwendung: Messung von Isotopen- und Elementverteilungen in der Nähe von Festkörperoberflächen (bis zu 10µm Tiefe). Das Verfahren wird zur Untersuchung von Transportprozessen in Festkörpern und von Heterogenreaktionen an Oberflächen und Grenzflächen eingesetzt. Typische Anwendungsfälle reichen von grundlagenorientierten Diffusuinsmessungen bis zu praxisorientierten Untersuchungen an Oberflächen und Grenzflächen in allen Bereichen der Material- und Geowissenschaften.

 

Dünnschichttechnik

Photolithographie
Justier- und Belichtungseinheit, JuB 2104

  • pneumatisch gesteuerte Mikrostrukturherstellung (lateral ~5 µm-Bereich)

Hochvakuum DC-Magnetronsputteranlage, Umbau Perkin Elmer 4400

  • Dreifach Sputterkopf für Mehrlagenschichttechnik

Hochvakuum Multi-PVD-Anlage, Edwards E306 A

  • 3kW Elektronenstrahlaufdampfeinrichtung

  • 1kW Elektronenstrahlaufdampfeinrichtung mit sechsfach Revolverwechsler

  • Thermischer Verdampfer

  • Sputtereinrichtung, 2"-Target

Röntgendiffraktometrie

Röntgenanlage, Siemens D5000

  • Pulverdiffraktometrie

  • Messaufsatz für streifenden Einfall für dünne Schichten

  • Hochtemperaturkammer Bühler HDK 1.4 für "in situ" Messungen

    unter Vakuum bis 1600°C oder Schutzgas bis 1500°C

  • Rechnergestützte vollautomatische XRD-Steuerung

  • Spektren-Auswertung mit JCPDS-Datenbank Unterstützung
 

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